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简要介绍

用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池沉底等材料。

详细参数

主要性能参数
生长方法	提拉法
晶体结构	立方
晶格常数	a=5.65754 Å
密度	5.323g/cm3
熔点	937.4℃
掺杂物质	不掺杂	掺Sb	掺Ga
类型	/	N	P
电阻率	＞35Ωcm	0.01~10Ωcm	0.01~10Ωcm
EPD	＜4×10³∕cm2	＜4×10³∕cm2	＜4×10³∕cm2
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
	Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室

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